近日，澈芯科技自主研发的12英寸碳化硅（SiC）晶圆缺陷检测设备Thea C520顺利完成出厂发货，启运至北方某碳化硅衬底头部大客户。此次发运是澈芯科技在超大尺寸化合物半导体检测装备领域的又一关键里程碑，标志着国产12英寸SiC缺陷检测设备正式迈入产线验证新阶段，为我国第三代半导体高端检测装备自主可控注入强劲信心。

直面全球产业瓶颈，剑指12英寸碳化硅量产痛点

作为第三代半导体规模化发展的核心载体，12英寸碳化硅衬底被视为推动碳化硅材料降本增效的关键路径，已成为全球半导体产业竞争的战略焦点。

然而，超大尺寸碳化硅的产业化之路仍面临严峻挑战。从晶体生长到衬底加工，12英寸碳化硅的工艺难度呈指数级上升。微管、位错、裂纹、层错等致命缺陷直接影响衬底良率与后续芯片性能，而缺陷检测作为把控衬底质量、提升工艺稳定性的核心环节，已成为制约规模化量产的关键堵点。澈芯研发的点激光螺旋扫描技术，正是破解这一难题的核心——全球首台12英寸碳化硅检测设备应运而生。

点激光螺旋扫描技术：重新定义透明晶圆检测精度

澈芯科技深耕宽禁带半导体材料光学特性研究，深刻理解SiC、GaN等透明/半透明晶圆的检测物理本质。本次交付的Thea C520，采用点激光螺旋扫描技术架构，以五技术合一统一物理机制——暗场、明场、坡度、相位、光致发光（PL）集成于单一光学平台，专为透明晶圆检测场景打造。

点激光螺旋扫描，全区域精准覆盖

区别于传统面阵成像方式，Thea C520采用点激光聚焦扫描结合高速螺旋运动轨迹，最大转速达数千转/分钟。X轴扫描步距决定径向分辨率，采集卡采集频率决定周向分辨率，Recipe和Map结果可离线调整，实现全区域无死角的高精度数据采集。

双波长层析技术，穿透透明介质

采用405nm斜入射激光与355nm正入射激光的协同架构。405nm激光针对表面及亚表面缺陷敏感，355nm激光针对全厚度缺陷敏感，通过双通道信号比值分析的算法层析分离技术，实现表面缺陷与内部缺陷的精准定位与区分——这是传统单波长激光设备无法实现的根本性突破。

硬核实测：与国际头部企业产品全维度对标

Thea C520与国际头部企业产品已完成全维度实测对标，覆盖六种核心缺陷类型。实测数据显示，六项指标全部通过，部分指标实现显著超越。

Thea C520缺陷展示（微管、划痕、颗粒、凹坑等）

全链自主创新，夯实国产装备核心竞争力

澈芯科技自2021年成立以来，始终专注于先进光刻、检测、测量等高端装备的研发与产业化。公司构建了覆盖“光、机、电、算、软、工艺”的全链条自主研发与生产体系，核心研发团队由长期深耕半导体前道光刻和量检测设备行业的博士、专家组成。

此次12英寸SiC晶圆缺陷检测设备的成功发运，具有深远的产业价值与战略意义：

技术主权：Thea C520有效破解全球12英寸SiC降本与质量稳定性的核心矛盾，实现检测设备从“进口依赖”到“自主可控”的跨越，为我国在全球第三代半导体产业竞争中抢占核心话语权提供关键装备支撑。

客户共生：澈芯科技不仅是设备供应商，更是客户的技术互补方——懂缺陷检测，更懂材料特性；懂设备性能，更懂应用需求。与客户共同定义下一代宽禁带半导体材料标准，推动碳化硅产业从“能制造”向“造优、造精”升级。

12英寸SiC不是简单的尺寸升级，而是材料应用场景的范式转移。澈芯科技以“懂材料、懂光学、懂检测、懂应用”的底层能力，从根本物理机制出发，重新定义宽禁带半导体缺陷检测的技术边界。Thea C520已踏上前往客户产线的征程，接下来将进入密集的产线验证与数据比对阶段。澈芯科技将持续以点激光扫描技术为基石，携手客户共同推动12英寸SiC量产良率升级。当那束激光在12英寸SiC产线上划出第一道螺旋轨迹，一个属于中国半导体检测设备的新时代，正在加速到来。

关于澈芯科技

上海澈芯科技有限公司（PureChip Technology）成立于2021年，是一家专注于先进光刻、检测、测量等高端半导体装备研发与量产的高科技创新企业。公司总部位于苏州，以上海为研发中心，产品线覆盖无图形晶圆缺陷检测、有图形晶圆缺陷检测、套刻误差测量及光刻设备等领域，致力于为化合物半导体、先进封装、MEMS、CIS及AR等领域提供高性能、高可靠性的设备解决方案。

澈芯科技积极探索碳化硅在光学领域的创新应用，其孵化的SiC AR眼镜项目在全国创业大赛中荣获银奖，展现了公司在宽禁带半导体材料应用场景拓展上的前瞻布局与技术转化能力。